이재용 삼성전자 부회장이 사상 최초로 삼성 반도체 공장을 방문한 조 바이든 미국 대통령에게 괴물급 반도체를 공개했다.
이 부회장이 보여준 반도체는 ‘비밀병기’라고 불리는 ‘게이트올어라운드(GAA)’를 적용한 3nm 공정 반도체다.
지난 20일 오후 이 부회장은 공장을 둘러보던 윤석열 대통령과 바이든 미국 대통령에게 ‘게이트올어라운드’를 적용한 3nm 공정 반도체를 보여줬다.
GAA는 반도체 칩의 기본 소자인 트랜지스터를 기존보다 더 작고 빠르게 가동하면서 전력 소모를 줄인 기술이다.
이중 3nm 반도체는 삼성전자가 독자 개발한 GAA 기술 ‘MBC-FET’가 적용된 것으로 기존 7nm 핀펫 공정 대비 소비전력이 50%, 공간이 45% 개선됐다.
엄청난 개선 효과에 업계에서는 TSMC에 맞서기 위한 ‘비밀병기’로 취급되고 있다. 삼성전자는 올 상반기 GAA 기술을 활용한 3nm 반도체를 양산할 계획이다.
콘텐츠 저작권자 ⓒ지식의 정석 (무단복제 및 재배포 금지)/사진 = 온라인 커뮤니티, 연합뉴스